На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFT30N50P | IXFT30N50Q | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-268 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <460 Вт | <360 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.15 нФVds = 25V | 4.925 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <160 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | PolarHV™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 70 нCVgs = 10V | 190 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |