IXFR48N60

IXFR48N60, IXFR48N60P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFR48N60P
Корпус мікросхеми
Корпус
ISOPLUS247™
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
8.86 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<600 В
Постійний струм стоку
IDSS
<32 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<150 мОмId, Vgs = 24A, 10V
Серія MOSFET
Серія
PolarHV™
Заряд затвору
QG
150 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard