На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFN38N100P | IXFN38N100Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-227B miniBLOC | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | На шасі/провід | |
Потужність | P | <1 кВт | <890 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 24 нФVds = 25V | 7.2 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <38 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <210 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <250 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 350 нCVgs = 10V | 250 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |