IXFN140N30

IXFN140N30, IXFN140N30P

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFN140N30P
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Потужність
P
<700 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
14.8 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<300 В
Постійний струм стоку
IDSS
<110 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<24 мОмId, Vgs = 70A, 10V
Серія MOSFET
Серія
Polar™
Заряд затвору
QG
185 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard