На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFL80N50Q2 | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | ISOPLUS264™ |
Виробник | Виробник | IXYS |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <625 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 10.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <500 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <64 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <66 мОмId, Vgs = 40A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 260 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard |