На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFL38N100P | IXFL38N100Q2 | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | ISOPLUSi5-Pak™ | ISOPLUS264™ |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <520 Вт | <380 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 24 нФVds = 25V | 13.5 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <29 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <230 мОмId, Vgs = 19A, 10V | <280 мОмId, Vgs = 19A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 350 нCVgs = 10V | 250 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |