На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFK170N20P | IXFK170N20T | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-264 | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <1.25 кВт | <1.15 кВт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.4 нФVds = 25V | 19.6 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <170 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <11 мОмId, Vgs = 60A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | GigaMOS™ |
Заряд затвору | QG | 185 нCVgs = 10V | 265 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |