IXFH6N120

IXFH6N120

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFH6N120
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-247AD
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<300 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.95 нФVds = 25V
Постійний струм стоку
IDSS
<6 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<2.6 ОмId, Vgs = 500mA, 10V
Заряд затвору
QG
56 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard