На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFH15N100P | IXFH15N100Q | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247AD |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <543 Вт | <360 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.14 нФVds = 25V | 4.5 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <15 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <760 мОмId, Vgs = 500mA, 10V | <700 мОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 97 нCVgs = 10V | 170 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |