На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFH12N100F | IXFH12N100P | IXFH12N100Q | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247 | TO-247AD, TO-247AD |
Виробник | Виробник | IXYS | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <300 Вт | <463 Вт | <300 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.7 нФVds = 25V | 4.08 нФVds = 25V | 2.9 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <12 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <1.05 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | HiPerRF™ | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 77 нCVgs = 10V | 80 нCVgs = 10V | 90 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||