IXFE73N30

IXFE73N30, IXFE73N30Q

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIXFE73N30Q
Корпус мікросхеми
Корпус
SOT-227B miniBLOC
Виробник
Виробник
IXYS
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
На шасі/провід
Потужність
P
<400 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
6.4 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<300 В
Постійний струм стоку
IDSS
<66 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<46 мОмId, Vgs = 36.5A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HiPerFET™
Заряд затвору
QG
190 нCVgs = 10V
FET Feature
FET Feature
Standard