На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IXFA4N100P | IXFA4N100Q | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | |
Виробник | Виробник | IXYS | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <150 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.456 нФVds = 25V | 1.05 нФVds = 25V |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V | <3 ОмId, Vgs = 500mA, 10V |
Серія MOSFET | Серія | Polar™ | HiPerFET™ |
Заряд затвору | QG | 26 нCVgs = 10V | 39 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |