На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ISL9N303AP3 | ISL9N303AS3 | ISL9N303AS3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <215 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 7 нФVds = 15V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.2 мОмId, Vgs = 75A, 10V | ||
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 172 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||