На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | ISL9N302AP3 | ISL9N302AS3 | ISL9N302AS3ST | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-92-3 (Standard Body), TO-226 | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий |
Потужність | P | <345 Вт | ||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11 нФVds = 15V | ||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <75 А | ||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <2.5 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V | <2.3 мОмId, Vgs = 75A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | UltraFET™ | ||
Заряд затвору | QG | 300 нCVgs = 10V | ||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||