На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLU3715PBF | IRLU3715ZPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <3.8 Вт | <40 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.06 нФVds = 10V | 810 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <54 А | <49 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <14 мОмId, Vgs = 26A, 10V | <11 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 17 нCVgs = 4.5V | 11 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |