На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLU3714PBF | IRLU3714TR | IRLU3714Z | IRLU3714ZPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <47 Вт | <47 Вт | <35 Вт | <35 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 670 пФVds = 10V | 670 пФVds = 10V | 560 пФVds = 10V | 560 пФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <36 А | <36 А | <37 А | <37 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <20 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <15 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <15 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 9.7 нCVgs = 4.5V | 9.7 нCVgs = 4.5V | 7.1 нCVgs = 4.5V | 7.1 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||