На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLU120N | IRLU120NPBF | IRLU120PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <48 Вт | <48 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 440 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 490 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | <10 А | <7.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <185 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <185 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <270 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||