На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLU024N | IRLU024NPBF | IRLU024PBF | IRLU024Z | IRLU024ZPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||
Потужність | P | <45 Вт | <45 Вт | <2.5 Вт | <35 Вт | <35 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 480 пФVds = 25V | 480 пФVds = 25V | 870 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В | <55 В | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | <17 А | <14 А | <16 А | <16 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 10A, 10V | <100 мОмId, Vgs = 8.4A, 5V | <58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V | <58 мОмId, Vgs = 9.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 15 нCVgs = 5V | 15 нCVgs = 5V | 18 нCVgs = 5V | 9.9 нCVgs = 5V | 9.9 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||