На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLU014N | IRLU014NPBF | IRLU014PBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <28 Вт | <28 Вт | <2.5 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 265 пФVds = 25V | 265 пФVds = 25V | 400 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | <55 В | <60 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <10 А | <10 А | <7.7 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <140 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <200 мОмId, Vgs = 4.6A, 5V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 7.9 нCVgs = 5V | 7.9 нCVgs = 5V | 8.4 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||