На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR7833CPBF | IRLR7833CTRLPBF | IRLR7833CTRRPBF | IRLR7833PBF | IRLR7833TR | IRLR7833TRL | IRLR7833TRLPBF | IRLR7833TRPBF | IRLR7833TRR | IRLR7833TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||||
Потужність | P | <140 Вт | |||||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.01 нФVds = 15V | |||||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <140 А | |||||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||||
Заряд затвору | QG | 50 нCVgs = 4.5V | |||||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||||