На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR7821CPBF | IRLR7821CTRPBF | IRLR7821CTRRPBF | IRLR7821PBF | IRLR7821TR | IRLR7821TRLPBF | IRLR7821TRPBF | IRLR7821TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <75 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.03 нФVds = 15V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <65 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 14 нCVgs = 4.5V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||