На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR7811WCPBF | IRLR7811WCTRLP | IRLR7811WCTRRP | IRLR7811WPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||
Потужність | P | <71 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.26 нФVds = 15V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <64 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <10.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 31 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||