На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLR4343-701PBF | IRLR4343PBF | IRLR4343TR | IRLR4343TRL | IRLR4343TRLPBF | IRLR4343TRPBF | IRLR4343TRR | IRLR4343TRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | DPak, TO-252 (2 leads+tab), SC-63 | |||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |||||||
Потужність | P | <79 Вт | |||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 740 пФVds = 50V | |||||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <26 А | |||||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 4.7A, 10V | |||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||||
Заряд затвору | QG | 42 нCVgs = 10V | |||||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||||