На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLMS5703TR | IRLMS5703TRPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | Micro6™(TSOP-6) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | |
Потужність | P | <1.7 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 170 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <2.3 А | <2.4 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | P-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <200 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 1.6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 11 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |