На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLL024N | IRLL024NPBF | IRLL024NTR | IRLL024NTRPBF | IRLL024Z | IRLL024ZPBF | IRLL024ZTRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | SOT-223 (3 leads + Tab), SC-73, TO-261AA | ||||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Поверхневий | ||||||
Потужність | P | <1 Вт | ||||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 510 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V | 380 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <3.1 А | <3.1 А | <3.1 А | <3.1 А | <5 А | <5 А | <5 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <65 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V | <60 мОмId, Vgs = 3A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||
Заряд затвору | QG | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 15.6 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V | 11 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||