На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLIZ34G | IRLIZ34GPBF | IRLIZ34N | IRLIZ34NPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <42 Вт | <42 Вт | <37 Вт | <37 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.6 нФVds = 25V | 1.6 нФVds = 25V | 880 пФVds = 25V | 880 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <60 В | <60 В | <55 В | <55 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <20 А | <20 А | <22 А | <22 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <50 мОмId, Vgs = 12A, 5V | <50 мОмId, Vgs = 12A, 5V | <35 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <35 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 35 нCVgs = 5V | 35 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 5V | 25 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||