На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLI620G | IRLI620GPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <30 Вт | |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 360 пФVds = 25V | |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <4 А | |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 2.4A, 5V | |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 16 нCVgs = 10V | |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |