На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLI540G | IRLI540N | IRLI540NPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <48 Вт | <54 Вт | <54 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.2 нФVds = 25V | 1.8 нФVds = 25V | 1.8 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <17 А | <23 А | <23 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <77 мОмId, Vgs = 10A, 5V | <44 мОмId, Vgs = 12A, 10V | <44 мОмId, Vgs = 12A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 64 нCVgs = 5V | 74 нCVgs = 5V | 74 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |