На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLI520G | IRLI520GPBF | IRLI520N | IRLI520NPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) | TO-220-3 Full Pack (Straight Leads) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | International Rectifier | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||
Потужність | P | <37 Вт | <37 Вт | <30 Вт | <30 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 490 пФVds = 25V | 490 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V | 440 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <7.2 А | <7.2 А | <8.1 А | <8.1 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <270 мОмId, Vgs = 4.3A, 5V | <270 мОмId, Vgs = 4.3A, 5V | <180 мОмId, Vgs = 6A, 10V | <180 мОмId, Vgs = 6A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 12 нCVgs = 5V | 12 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V | 20 нCVgs = 5V |
FET Feature | FET Feature | Standard | Standard | Logic Level Gate | Logic Level Gate |