IRLI510G

IRLI510, IRLI510ATU, IRLI510G

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRLI510ATUIRLI510G
Корпус мікросхеми
Корпус
I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 Full Pack (Straight Leads, Isolated), ITO-220AB
Виробник
Виробник
Fairchild SemiconductorVishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвір
Потужність
P
<3.8 Вт(не задано)
Вхідна ємність польового транзистора
C11
235 пФVds = 25V(не задано)
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<100 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.6 А(не задано)
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<440 мОмId, Vgs = 2.8A, 5V(не задано)
Заряд затвору
QG
8 нCVgs = 5V(не задано)
FET Feature
FET Feature
Logic Level GateStandard