На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRLB4030PBF | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220AB |
Виробник | Виробник | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <370 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 11.36 нФVds = 50V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <100 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <180 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <4.3 мОмId, Vgs = 110A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 130 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |