IRL8113LPBF

IRL8113, IRL8113L, IRL8113LPBF, IRL8113PBF, IRL8113S, IRL8113SPBF, IRL8113STRL, IRL8113STRLPBF, IRL8113STRR, IRL8113STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL8113LIRL8113LPBFIRL8113PBFIRL8113SIRL8113SPBFIRL8113STRLIRL8113STRLPBFIRL8113STRRIRL8113STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<110 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.84 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<30 В
Постійний струм стоку
IDSS
<105 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<6 мОмId, Vgs = 21A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
35 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate