На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRL7833LPBF | IRL7833PBF | IRL7833S | IRL7833SPBF | IRL7833STRLPBF | IRL7833STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <140 Вт | |||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 4.17 нФVds = 15V | |||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <150 А | |||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3.8 мОмId, Vgs = 38A, 10V | |||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 47 нCVgs = 4.5V | |||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||||