IRL640L

IRL640, IRL640A, IRL640L, IRL640PBF, IRL640S, IRL640SPBF, IRL640STRL, IRL640STRR, IRL640STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL640AIRL640LIRL640PBFIRL640SIRL640SPBFIRL640STRLIRL640STRRIRL640STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Fairchild Semiconductor
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<110 Вт<3.1 Вт<125 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.705 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V1.8 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<18 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А<17 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<180 мОмId, Vgs = 9A, 5V
Серія MOSFET
Серія
(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)(не задано)HEXFET®
Заряд затвору
QG
56 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V66 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate