IRL620PBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметр		IRL620L	IRL620PBF	IRL620S	IRL620SPBF	IRL620STRL	IRL620STRR
Корпус мікросхеми	Корпус	TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)	TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник	Виробник	Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему	Монтаж	Крізь отвір	Крізь отвір	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий	Поверхневий
Потужність	P	<3.1 Вт	<50 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт	<3.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора	C₁₁	360 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком	U_DSS	<200 В
Постійний струм стоку	I_DSS	<5.2 А
Тип каналу польового транзистора	Канал	N-ch
Опір каналу у відкритому стані	R_DS-ON	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 5V	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V	<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
Заряд затвору	Q_G	16 нCVgs = 5V
FET Feature	FET Feature	Logic Level Gate