IRL620L

IRL620, IRL620L, IRL620PBF, IRL620S, IRL620SPBF, IRL620STRL, IRL620STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL620LIRL620PBFIRL620SIRL620SPBFIRL620STRLIRL620STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<3.1 Вт<50 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт<3.1 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
360 пФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<200 В
Постійний струм стоку
IDSS
<5.2 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 5V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V<800 мОмId, Vgs = 3.1A, 10V
Заряд затвору
QG
16 нCVgs = 5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate