IRL5602S

IRL5602, IRL5602L, IRL5602S, IRL5602SPBF, IRL5602STRL, IRL5602STRLPBF, IRL5602STRR, IRL5602STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL5602LIRL5602SIRL5602SPBFIRL5602STRLIRL5602STRLPBFIRL5602STRRIRL5602STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<75 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
1.46 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<24 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
P-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<42 мОмId, Vgs = 12A, 4.5V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
44 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate