На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRL3713PBF | IRL3713SPBF | IRL3713STRLPBF | IRL3713STRRPBF | |
|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <330 Вт | |||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 5.89 нФVds = 15V | |||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |||
Постійний струм стоку | IDSS | <260 А | |||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <3 мОмId, Vgs = 38A, 10V | |||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||
Заряд затвору | QG | 110 нCVgs = 4.5V | |||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |||