IRL3502PBF

IRL3502, IRL3502L, IRL3502PBF, IRL3502S, IRL3502SPBF, IRL3502STRL, IRL3502STRLPBF, IRL3502STRR, IRL3502STRRPBF

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL3502LIRL3502PBFIRL3502SIRL3502SPBFIRL3502STRLIRL3502STRLPBFIRL3502STRRIRL3502STRRPBF
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<140 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
4.7 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<110 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<7 мОмId, Vgs = 64A, 7V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
110 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate