На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRL3202L | IRL3202PBF | IRL3202S | IRL3202STRL | IRL3202STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | Vishay/Siliconix | ||||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <69 Вт | ||||
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2 нФVds = 15V | ||||
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | ||||
Постійний струм стоку | IDSS | <48 А | ||||
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <16 мОмId, Vgs = 29A, 7V | ||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||
Заряд затвору | QG | 43 нCVgs = 4.5V | ||||
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||