IRL3102

IRL3102, IRL3102L, IRL3102PBF, IRL3102S, IRL3102SPBF, IRL3102STRL, IRL3102STRLPBF, IRL3102STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL3102LIRL3102PBFIRL3102SIRL3102SPBFIRL3102STRLIRL3102STRLPBFIRL3102STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), I²Pak, TO-262 (3 straight leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
Vishay/Siliconix
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<89 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
2.5 нФVds = 15V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<20 В
Постійний струм стоку
IDSS
<61 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<13 мОмId, Vgs = 37A, 7V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
58 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate