На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRL2203N | IRL2203NL | IRL2203NLPBF | IRL2203NPBF | IRL2203NS | IRL2203NSPBF | IRL2203NSTRL | IRL2203NSTRLPBF | IRL2203NSTRR | IRL2203NSTRRPBF | IRL2203S | IRL2203STRL | IRL2203STRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | TO-220-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-262-3 (Straight Leads) | TO-220-3 (Straight Leads) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) | D²Pak, TO-263 (2 leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Крізь отвір | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий | Поверхневий |
Потужність | P | <180 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <180 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт | <3.8 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.29 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V | 3.5 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||||||||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <116 А | <100 А | <100 А | <100 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <7 мОмId, Vgs = 60A, 10V | ||||||||||||
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||||||||||||
Заряд затвору | QG | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 60 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V | 110 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||||||||||||