IRL1104L

IRL1104, IRL1104L, IRL1104LPBF, IRL1104PBF, IRL1104S, IRL1104SPBF, IRL1104STRL, IRL1104STRLPBF, IRL1104STRR

На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.

Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.

Опис

Параметри

ПараметрIRL1104LIRL1104LPBFIRL1104PBFIRL1104SIRL1104SPBFIRL1104STRLIRL1104STRLPBFIRL1104STRR
Корпус мікросхеми
Корпус
TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-262-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), TO-220-3 (Straight Leads)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)TO-220-3 (Straight Leads), D²Pak, TO-263 (2 leads + tab)
Виробник
Виробник
International Rectifier
Тип монтажу компонента на плату чи в схему
Монтаж
Крізь отвірКрізь отвірКрізь отвірПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневийПоверхневий
Потужність
P
<2.4 Вт<2.4 Вт<167 Вт<2.4 Вт<2.4 Вт<2.4 Вт<2.4 Вт<2.4 Вт
Вхідна ємність польового транзистора
C11
3.445 нФVds = 25V
Постійна напруга між стоком та витоком
UDSS
<40 В
Постійний струм стоку
IDSS
<104 А
Тип каналу польового транзистора
Канал
N-ch
Опір каналу у відкритому стані
RDS-ON
<8 мОмId, Vgs = 62A, 10V
Серія MOSFET
Серія
HEXFET®
Заряд затвору
QG
68 нCVgs = 4.5V
FET Feature
FET Feature
Logic Level Gate