На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU4105PBF | IRFU4105Z | IRFU4105ZPBF | IRFU4105ZTR | IRFU4105ZTRL | IRFU4105ZTRR | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |||||
Виробник | Виробник | International Rectifier | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix | Vishay/Siliconix |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |||||
Потужність | P | <68 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт | <48 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 700 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V | 740 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <55 В | |||||
Постійний струм стоку | IDSS | <27 А | <30 А | <30 А | <30 А | <30 А | <30 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <45 мОмId, Vgs = 16A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V | <24.5 мОмId, Vgs = 18A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |||||
Заряд затвору | QG | 34 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V | 27 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | |||||