На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU3711PBF | IRFU3711ZPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <2.5 Вт | <79 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.98 нФVds = 10V | 2.16 нФVds = 10V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <20 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <100 А | <93 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <5.7 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 44 нCVgs = 4.5V | 27 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |