На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU3709PBF | IRFU3709Z-701P | IRFU3709ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <120 Вт | <79 Вт | <79 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.672 нФVds = 16V | 2.33 нФVds = 15V | 2.33 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <90 А | <86 А | <86 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <6.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 41 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 4.5V | 26 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | ||