На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU3708PBF | |
|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) |
Виробник | Виробник | International Rectifier |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір |
Потужність | P | <87 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.417 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В |
Постійний струм стоку | IDSS | <61 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <12.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® |
Заряд затвору | QG | 24 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate |