На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU3707PBF | IRFU3707ZPBF | |
|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | |
Виробник | Виробник | International Rectifier | |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | |
Потужність | P | <87 Вт | <50 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 1.99 нФVds = 15V | 1.15 нФVds = 15V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <30 В | |
Постійний струм стоку | IDSS | <61 А | <56 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | |
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <13 мОмId, Vgs = 15A, 10V | <9.5 мОмId, Vgs = 15A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | |
Заряд затвору | QG | 19 нCVgs = 4.5V | 14 нCVgs = 4.5V |
FET Feature | FET Feature | Logic Level Gate | |