На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU3504PBF | IRFU3504Z | IRFU3504ZPBF | |
|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||
Виробник | Виробник | International Rectifier | ||
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||
Потужність | P | <140 Вт | <90 Вт | <90 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 2.15 нФVds = 25V | 1.51 нФVds = 25V | 1.51 нФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <40 В | ||
Постійний струм стоку | IDSS | <30 А | <42 А | <42 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <9.2 мОмId, Vgs = 30A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 42A, 10V | <9 мОмId, Vgs = 42A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | HEXFET® | ||
Заряд затвору | QG | 71 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V | 45 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||