На цій сторінці плануєся додати дані у найближчому майбутньому.
Якщо Ви зацікавлені в даній информации, будь ласка, натисніть кнопку "Проголосувати".Це дасть нам знати, яку інформацію додати в першу чергу.
| Параметр | IRFU220BTU_AM002 | IRFU220BTU_F080 | IRFU220BTU_FP001 | IRFU220N | IRFU220NPBF | IRFU220PBF | IRFU220_R4941 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Корпус мікросхеми | Корпус | IPak, TO-251, DPak, VPak (3 straight leads + tab) | ||||||
Виробник | Виробник | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | Fairchild Semiconductor | International Rectifier | International Rectifier | Vishay/Siliconix | Fairchild Semiconductor |
Тип монтажу компонента на плату чи в схему | Монтаж | Крізь отвір | ||||||
Потужність | P | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <2.5 Вт | <43 Вт | <43 Вт | <2.5 Вт | <50 Вт |
Вхідна ємність польового транзистора | C11 | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 390 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 300 пФVds = 25V | 260 пФVds = 25V | 330 пФVds = 25V |
Постійна напруга між стоком та витоком | UDSS | <200 В | ||||||
Постійний струм стоку | IDSS | <4.6 А | <4.6 А | <4.6 А | <5 А | <5 А | <4.8 А | <4.6 А |
Тип каналу польового транзистора | Канал | N-ch | ||||||
Опір каналу у відкритому стані | RDS-ON | <800 мОмId, Vgs = 2.3A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 2.3A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 2.3A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V | <600 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 2.9A, 10V | <800 мОмId, Vgs = 2.4A, 10V |
Серія MOSFET | Серія | (не задано) | (не задано) | (не задано) | HEXFET® | HEXFET® | (не задано) | (не задано) |
Заряд затвору | QG | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 16 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 23 нCVgs = 10V | 14 нCVgs = 10V | 18 нCVgs = 10V |
FET Feature | FET Feature | Standard | ||||||